从0到全球第四,长鑫579亿募资半数砸向研发!国产存储高端突围,押在HBM
迪丽瓦拉
2026-07-17 14:33:20
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A股近19年最大IPO,开启申购。长鑫科技,预计募资579 亿,超越中芯国际,成为科创板开板以来规模第一大IPO。

它背后,是一家成立十年、累计亏损366亿的国产DRAM厂商——也是做内存芯片的企业——第一次真正站上资本市场的中央。

很多人只看到它半年预盈500亿、申购火爆的高光,却不一定知道,这家公司是怎么从零熬过来的。

存储芯片,是半导体里最难、也最烧钱的赛道之一。

2016年长鑫在合肥成立时,全球DRAM市场被三星、SK海力士、美光三家牢牢锁死,合计份额超过90%。国内的手机、服务器厂商,长期依赖进口,价格和供应都受制于人。

起步阶段,长鑫没有成熟工艺,也没有量产经验,只从奇梦达的破产资产里拿到了一批早期技术资料。有工程师回忆,头两年大量工作是在梳理、复原十几年前的工艺流程。外界一度看不懂它在做什么,质疑声不少。

当时摆在面前的,基本上是两条路:要么从国际巨头淘汰的旧工艺慢慢往上追,要么跳代研发、直接对标先进节点。

董事长朱一明力排众议,选择不走落后制程,瞄准先进节点。这条路没有任何参照,全程从零搭建。最艰难的阶段,关键工序的良率一度很低,压力极大。直到2019年,长鑫才跨过分水岭,量产出自主设计的DDR4芯片,实现中国大陆DRAM产业从0到1的突破。

但曙光刚至,就撞上2022年行业下行周期,DRAM价格大幅回落。从2022到2024年,长鑫连续三年累计亏损超过300亿;而成立至今的累计未弥补亏损,达到366亿。卖得越多、亏得越重,是那几年的真实写照。

关键时刻,合肥国资没撤资,反而顶着压力持续投入,保住了技术团队和产线设备。正是这种耐心资本,让长鑫熬过寒冬,把工艺从19纳米打磨到17纳米,产品从DDR4迭代到DDR5,LPDDR5X等高端品类也实现量产突破,全面追上国际主流。

转折出现在2025下半年。AI算力需求爆发,三星、海力士、美光集体把产能转向利润更高的HBM——也就是AI算力芯片配套的高带宽内存——主动让出了中端DRAM市场。

长鑫接住了这一窗口:2025年首次扭亏,2026年上半年预计净赚500亿到570亿,一次性覆盖了此前的累计亏损。

全球DRAM份额,更是从约3%升至近8%,成为新进入者中占比最高的一家;按产能规模,长鑫已跃居全球第四、中国第一。阿里、字节、腾讯、联想、小米等企业,也陆续导入了国产内存。

不过,中端突围只是起点。HBM这类高端AI存储,才是下一场硬仗。所以,这次579亿募资,长鑫把将近一半金额,投向存储器产线技术升级和HBM等前瞻研发,其中90亿专门用来攻关动态随机存取存储器的前沿技术。

从0到全球第四,长鑫用十年证明国产存储能上桌。但高端AI存储这一战,才刚开局。

你觉得,国产存储离真正的高端突破,还有多远?欢迎在评论区聊聊你的看法。

(文案、剪辑 | 王泽红)

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