1873-77-4 Tris(trimethylsilyl)sila的合成方法
迪丽瓦拉
2025-05-16 07:28:49
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常用名 三(三甲硅基)硅烷

英文名 TTMSS

CAS号 1873-77-4

分子量 248.661

密度 0.806 g/mL at 25 °C(lit.)

沸点 213.2±0.0 °C at 760 mmHg

分子式 C9H28Si4

熔点 N/A

闪点 77.2±22.6 °C

物理性质:通常为无色透明液体,具有较低的密度(约0.78 g/cm³)和较低的沸点(约150°C)。它在有机溶剂(如己烷、乙醚)中溶解性良好,但在水中的溶解度极低。

化学性质:Tris(trimethylsilyl)silane具有较高的化学稳定性,主要由于其结构中存在多个三甲基硅基团,这些基团能够提供电子稳定化作用。此外,它在酸性或碱性条件下表现出惰性,但在某些特定反应条件下(如与强路易斯酸或自由基引发剂)可以发生反应。

合成方法

Tris(trimethylsilyl)silane可以通过多种方法合成,常见的合成路线包括:

硅氢化反应:通过将三甲基硅烷(CH₃)₃SiH)与硅烷化试剂(如四氯化硅,SiCl₄)在催化剂存在下反应,生成Tris(trimethylsilyl)silane。

亲核取代反应:通过将四氯化硅(SiCl₄)与三倍量的三甲基硅烷((CH₃)₃SiH)在无水条件下反应,逐步取代氯原子,生成目标化合物。

应用

Tris(trimethylsilyl)silane在化学、材料科学和电子工业中具有多种应用:

有机合成:作为一种强还原剂,Tris(trimethylsilyl)silane可以用于还原反应,例如将羰基化合物还原为醇,或在有机合成中作为保护基团的引入和去除试剂。

材料科学:在硅基材料的合成中,Tris(trimethylsilyl)silane可以作为前驱体,用于制备具有特定结构的硅基材料,如硅纳米颗粒、硅薄膜等。

电子工业:由于其高纯度和化学稳定性,Tris(trimethylsilyl)silane常用于半导体制造过程中,作为硅源用于化学气相沉积(CVD)工艺,用于制备高质量的硅薄膜。

表面修饰:可以用于表面修饰,例如在硅片表面形成疏水性涂层,提高表面的抗污性和稳定性。

QY小编zyl分享2025.5.15

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