12月18日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（下称“英诺赛科”或“公司”，02577.HK）正式启动公开招股，拟全球发售4536.4万股H股，香港发售占约10%，国际发售占约90%，另有约15%超额配股权。发售价最高将为每股发售股份33.66港元，每手100股，预期H股将于12月30日上市。

氮化镓作为第三代半导体代表性材料，凭借高频、耐高压、抗辐射、高电子迁移率等优势，在电动汽车及数据中心、光伏发电站及电网等下游市场展现广阔的应用潜力。根据弗若斯特沙利文的资料，2023年，氮化镓功率半导体产业开启了指数级增长的元年，预计市场将迅速增长。到2028年，全球氮化镓功率半导体市场规模将达到人民币501亿元，在全球功率半导体市场的市占率提升至10.1%，并占全球功率半导体分立器件市场的24.9%，为行业参与者带来前所未有的机遇。

英诺赛科拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，专注于硅基氮化镓外延与器件的研发与制造，是全球功率半导体行业革命领导者，也是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的IDM企业。2021年—2023年，公司收入复合年增长率高达194.8%。

根据弗若斯特沙利文的数据，以折算氮化镓分立器件收益计，截至2023年末，公司市场份额高达33.7%，在全球氮化镓功率半导体公司中排名第一；截至2024年6月30日，公司氮化镓分立器件累计出货量超过8.5亿颗。这一切成就的背后，是英诺赛科作为行业龙头对氮化镓技术的深耕细作和对品质的不懈追求。

此次赴港上市，有望助英诺赛科提升国际知名度与影响力，并在资本市场的支持下深化全球拓展、强化技术迭代，继续引领氮化镓领域稳步前行，为第三代半导体时代的发展注入更强动力。