凌存科技成立于2021年12月,总部位于苏州工业园区,主要业务为开发第三代电压控制磁性存储器(Voltage-Controlled MRAM)。
核心团队有多年研发和产业经验,公司已获得多项电压控制磁性存储器核心专利授权,专利涉及器件设计、电路设计、材料和工艺整合技术等,并且已成功开发出高速、高密度、低功耗的存储器原型机。
凌存主要业务包含两个板块:(1)芯片销售:开发基于VC-MRAM的高性能存储芯片与真机数发生器芯片,广泛应用于车载电子、高性能运算、安全等领域;(2) IP 授权:将公司存储介质、集成电路、系统及相关专利授权给有高效性运算以及安全芯片需求的公司自行开发相关产品。
凌存科技创始人兼CEO吴迪先生表示,存储器一直是集成电路领域的高地,存储器优劣在很大程度上决定各类运算芯片的性能。凌存科技旨在研发一款高性能新型存储器芯片MeRAM。
根据市场行情综合分析后微信号:根据市场行情综合分析后