新洁能公司消息:产品结构持续优化,MOS 向屏蔽栅和超结发力
admin
2022-05-27 15:56:30
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  新洁能公司消息:产品结构持续优化,MOS 向屏蔽栅和超结发力,下面同老李一起去看看。

  产品结构持续优化,MOS 向屏蔽栅和超结发力。沟槽MOS(Trench-MOSFET)作为公司持续量产时间最长的成熟工艺平台,销售占比从20年的55.79%下降至21 年的45.31%;屏蔽栅MOS(SGT MOSFET)占比从21 年的31.69%提升至21 年的38.96%;12 寸650V-700V 超结MOS已进入稳定量产,超结四代平台形成了500V-700V 完整的产品系列,同时积极发展200V 低压产品的开发,今年以来超结MOS 持续在服务器、充电桩、OBC、照明等领域发力。

  下游领域向汽车、光伏、工业发力,消费领域占比持续下降。公司2021年度积极发展汽车电子、光伏逆变和光伏储能、5G 基站电源、工业自动化、高端电动工具等中高端行业。

  今年以来国内疫情导致下游行业需求放缓,部分中低端功率芯片价格松动,目前公司大多数产品价格仍坚挺,22Q1 毛利率39.72%,相比21 年全年毛利水平还有0.6pct 的提升,且公司下游结构逐步向高端领域发展,未来公司的成长确定性会变得更强。

  光伏IGBT 爆发,22 年有望维持高速增长。2021 年IGBT 实现8051 万元的销售,同比增长529.44%。目前公司的IGBT 单管在光伏储能、工控、变频家电等领域实现了大量销售。公司12 寸1200V 高频低饱和压降IGBT 产品已经稳定量产,使用载流子存储技术的650V 高密度沟槽栅IGBT 产品已初步开发完成,多款IGBT 模块产品进入小批量生产。

  定增发力IPM 和PIM 领域,实现IGBT 领域多元发展。5 月非公开获得核准,拟募资14.18 亿元,用于开拓第三代半导体SiC/GaN 功率器件、功率驱动IC 及智能功率模块(IPM)、SiC/IGBT/MOSFET 等功率集成模块(含车规级)的产业化。白电为IPM 重要下游市场,公司已成功研发部分栅极驱动器 IC 产品,少量产品已量产并实现收入。功率集成模块(PIM)是电机控制系统中的核心器件,我们预计2025 年国内新能源乘用车对应IGBT 模块市场需求在162 亿元,空间广阔。

  

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